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3nm比5nm提升多少?台积电公布三大关键指标

时间:2021-12-25 11:14:12   来源:网络  

  近年来,摩尔定律逐渐消失。然而,台积电的技术已经证明摩尔定律是不朽的,并且仍在向前发展。技术越先进,晶体管的小型化就越困难。此前,联电和莱迪思core相继放弃了10nm以下先进工艺的研发,英特尔也在这一过程中继续放慢脚步,在12月22日召开的中国集成电路设计产业2021届大会暨无锡集成电路产业创新与发展高峰论坛上,南京(上海)有限公司总经理罗振秋表示,台积电正在使用新技术来证明穆尔定律仍在向前发展。罗振秋介绍,台积电的7Nm于2018年推出,5nm于2020年推出。
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  我们将按计划在2022年推出3nm技术,我们的2nm工艺也在顺利发展对于工艺而言,最重要的是有三个关键指标:性能功耗和密度(每单位面积的晶体管数量)罗振秋表示,台积电单位面积晶体管数量将比上一代增加1.7至1.8倍,从7Nm增加到5nm,再增加到3nm,每代性能将提高10%以上。在相同性能下,功耗可降低20%以上。对于3nm量产困难的传闻,罗振秋表示,这些只是传闻,它将按计划(2022年)量产3nm根据台积电的官方数据,与上一代5nm工艺相比,台积电的3nm技术在相同性能下,逻辑密度提高了1.7倍,性能提高了11%,功耗降低了25-30%。
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